一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法
发布时间：2018-12-06
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- 专利名称：
- 一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法
- 所属单位：
- 物理学院
- 专利类型：
- 发明
- 申请号：
- 201010531195.4
- 发明人数：
- 4
- 是否职务专利：
- 否
- 申请日期：
- 2010-11-04
- 公开日期：
- 2012-02-01
- 授权日期：
- 2010-11-04
- 发布时间：
- 2018-12-06
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