一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
发布时间：2019-01-26
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- 专利名称：
- 一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
- 所属单位：
- 微电子学院
- 专利类型：
- 发明
- 申请号：
- 201710551026.9
- 发明人数：
- 2
- 是否职务专利：
- 否
- 申请日期：
- 2017-07-07
- 公开日期：
- 2019-10-01
- 授权日期：
- 2019-10-01
- 发布时间：
- 2019-01-26
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