Effect of high temperature annealing on strain and band gap of GaN nanoparticles
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所属单位：物理学院
发表刊物：Chinese Physics B
全部作者：肖洪地,毛宏志,林兆军
第一作者：肖洪地
论文编号：lw-102044
卷号：8
期号：19
页面范围：086106-1
字数：3000
是否译文：否
发表时间：2010-08-15
发表时间：2010-08-15
上一条： Sensitive determination of protein based on the fluorescence enhancement effect of terbium (III)–epinephrine–protein–sodium dodecylsulfate system
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