毛宏志 (高级实验师)

高级实验师

性别:男

在职信息:在职

所在单位:化学与化工学院

入职时间:1987-08-01

所属院系: 化学与化工学院

   
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Fabrication and properties of self-standing GaN-based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer in neutral electrolyte

发布时间:2019-10-24   点击数:

所属单位:集成电路学院

论文名称:Fabrication and properties of self-standing GaN-based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer in neutral electrolyte

发表刊物:JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS

第一作者:高庆学

全部作者:马瑾,肖洪地,刘建强,毛宏志

论文编号:E4F4B06254524F618F65F545768C04A2

卷号:722

页面范围:767

是否译文:

发表时间:2017-10

上一条: MIL-100(V) and MIL-100(V)/rGO with various valence states of vanadium ions as sulfur cathode hosts for lithium-sulfur batteries

下一条: Electrochemical characteris of n-type GaN in oxalic acid solution under the pre-breakdown condition