Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers
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所属单位：微电子学院
发表刊物：NANOSCALE
全部作者：肖洪地,栾彩娜,毛宏志,刘建强,刘向东
第一作者：曹得重
论文类型：基础研究
论文编号：D724A0DD21A549D288EB38A47DA64552
卷号： 9
期号：32
页面范围：11504
是否译文：否
发表时间：2017-08-28
发表时间：2017-08-28