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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Broadband near-infrared Cr3+:β-Ga2O3 fluorescent single crystal grown by the EFG method
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
张晋
论文编号：
651B4A607F6A4A85B1F5C6AED8E774E2
期号：
22
字数：
3500
是否译文：
否
发表时间：
2020-10-06
上一条：
Anisotropy and in-plane polarization of low-symmetrical beta-Ga2O3 single crystal in the deep ultraviolet band
下一条：
Yb: CaYAl3O7 crystal: a promising candidate for an ultrashort pulse laser with a disordered structure
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