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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
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次
论文成果
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Crystal growth and design of Sn-doped β-Ga2O3: Morphology, defect and property studies of cylindrical crystal by EFG
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者:
付博
论文类型:
基础研究
论文编号:
61A08D98BE5E4EFA9D5AEC6BCC196B50
期号:
896
字数:
6
是否译文:
否
发表时间:
2021-11-24
上一条:
Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction
下一条:
Investigation of the blue color center in β-Ga2O3 crystals by the EFG method
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