1. 一种高耐久存算一体器件及其制备方法 CN202311748781.8
2. 一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法 CN202311748792.6
3. 一种感存算器件及制备方法 CN202211242145.3
4. 一种基于柔性衬底的感存算器件及制备方法 CN202211242840.X
5. 一种改善铪基铁电器件耐受性的方法 CN202211112661.4
6. 一种通过插层技术优化铁电MOS电容性能的方法 CN202211112658.2
7. 一种柔性NAND闪存存储器及其制备方法 CN202210930734.4
8. 一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法 CN202210930716.6
9. 一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件及其制备方法 CN202210930943.9
10. 一种三栅型六位存储器件及其制备方法 CN202210930733.X
11. 一种阈值电压可调的超薄氧化铟锡薄膜晶体管的制备方法 CN202210917408.X
12. 基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法 CN202210918681.4
13. 一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法 CN202210918679.7
14. 一种改善铪基铁电器件性能的方法 CN202210920069.0
15. 一种三维集成多功能忆阻器及其制备方法 CN202210903267.6
16. 一种低功耗织物型神经形态器件及其制备方法 CN202210896104.X
17. 一种嗅觉感存算一体化忆阻器及其制备方法 CN202210896285.6
18. 一种多端仿树突型神经形态器件及其制备方法 CN202210896084.6
19. 一种新型可穿戴存储器及其制备方法 CN202210896282.2
20. 一种具有局域调控特性的铁电多值存储器及其制备方法 CN202210608891.3
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