Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires
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发表刊物：Scientific reports
全部作者：宋爱民,尹延学
第一作者：杨再兴
论文类型：基础研究
论文编号：EE2D18DF1699467F91EAA744FB15B8B9
是否译文：否
发表时间：2018-05-02
发表时间：2018-05-02