Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
点击次数:
所属单位:物理学院
发表刊物:Applied physics letters
全部作者:宋爱民
第一作者:辛倩
论文类型:基础研究
论文编号:lw-168548
卷号:106
期号:11
页面范围:113506-1
是否译文:否
发表时间:2015-03-20
发表时间:2015-03-20
Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
点击次数:
所属单位:物理学院
发表刊物:Applied physics letters
全部作者:宋爱民
第一作者:辛倩
论文类型:基础研究
论文编号:lw-168548
卷号:106
期号:11
页面范围:113506-1
是否译文:否
发表时间:2015-03-20
发表时间:2015-03-20