Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
发表刊物：Applied physics letters
第一作者：辛倩
全部作者：宋爱民
论文类型：基础研究
论文编号：lw-168548
卷号：106
期号：11
页面范围：113506-1
是否译文：否
发表时间：2015-03