Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
发表刊物：Applied physics letters
第一作者：冯先进
全部作者：宋爱民
论文类型：基础研究
论文编号：lw-178680
是否译文：否
发表时间：2016-09