Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
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所属单位:微电子学院
发表刊物:Applied physics letters
全部作者:宋爱民
第一作者:冯先进
论文类型:基础研究
论文编号:lw-178680
是否译文:否
发表时间:2016-09-12
发表时间:2016-09-12