High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
发表刊物：Physica Status Solidi C
第一作者：辛倩
全部作者：宋爱民
论文类型：基础研究
论文编号：lw-180407
卷号：13
期号：7-9
页面范围：618
是否译文：否
发表时间：2016-06