宋爱民 (教授)

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:山东大学

学历:研究生(博士)毕业

学位:博士生

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

办公地点:软件园校区

电子邮箱:songam@sdu.edu.cn

   
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

High performance Schottky diodes based on indium-gallium-zinc-oxide

点击次数:

所属单位:物理学院

发表刊物:Journal of Vacuum Science & Technology A

全部作者:宋爱民

第一作者:辛倩

论文类型:基础研究

论文编号:lw-180412

是否译文:

发表时间:2016-07-01

发表时间:2016-07-01

上一条: Analysis of carrier transport and band tail states in p-type tin monoxide thin-film transistors by temperature dependent characteristics

下一条: Low-frequency noise properties in Pt-indium gallium zinc oxide Schottky diodes