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GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric

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所属单位：微电子学院

发表刊物：Semiconductor Science and Technology

全部作者：王一鸣,辛倩,徐明升,陈秀芳,徐现刚,冯先进,宋爱民

第一作者：朱庚昌

论文类型：基础研究

论文编号：600382F594C94DF2908CDF75E37699EF

卷号：33

期号：9

是否译文：否

发表时间：2018-09-01

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宋爱民 (教授)