Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, 111-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor–Solid–Solid Chemical Vapor Deposition
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所属单位:微电子学院
发表刊物:ACS nano
全部作者:宋爱民
第一作者:杨再兴
论文类型:基础研究
论文编号:C834DAB26EC441EE81336DA4799A3B05
是否译文:否
发表时间:2017-03-29
发表时间:2017-03-29