Analysis of carrier transport and band tail states in p-type tin monoxide thin-film transistors by temperature dependent characteristics
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所属单位:晶体材料研究所
发表刊物:Applied physics letters
全部作者:宋爱民,辛倩
第一作者:刘杰
论文类型:基础研究
论文编号:lw-185123
是否译文:否
发表时间:2016-06-30
发表时间:2016-06-30