High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
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所属单位:集成电路学院
发表刊物:IEEE Electron Device Letters
全部作者:陶绪堂,宋爱民,辛倩,徐明升,穆文祥,王鑫煜,辛公明,贾志泰
第一作者:杜路路
论文编号:95E46522A7424B49812ABB6DBA13307C
卷号:40
期号:3
页面范围:451
是否译文:否
发表时间:2019-03-01
发表时间:2019-03-01