High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
点击次数:
所属单位:物理学院
发表刊物:Physica Status Solidi C
全部作者:辛倩,宋爱民
第一作者:辛倩
论文类型:基础研究
论文编号:lw-180407
卷号:13
期号:7-9
页面范围:618
是否译文:否
发表时间:2016-06-03
发表时间:2016-06-03
High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
点击次数:
所属单位:物理学院
发表刊物:Physica Status Solidi C
全部作者:辛倩,宋爱民
第一作者:辛倩
论文类型:基础研究
论文编号:lw-180407
卷号:13
期号:7-9
页面范围:618
是否译文:否
发表时间:2016-06-03
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