Thermally Evaporated SiO Serving as Gate Dielectric in Graphene Field-Effect Transistors
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Thermally Evaporated SiO Serving as Gate Dielectric in Graphene Field-Effect Transistors
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：杨乐陶
全部作者：宋爱民,张锡健,李玉香,陈秀芳,徐现刚,赵显
论文编号：C378AC35A5AB4595ADA7AFF720512A91
卷号：64
期号：4
页面范围：1846
是否译文：否
发表时间：2017-04