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Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors

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所属单位：集成电路学院

发表刊物：IEEE Electron Device Letters

全部作者：宋爱民,王一鸣,林兆军,周莉,辛倩

第一作者：李云鹏

论文编号：336EFF6A821E4222AA5EAB0BA52D3891

卷号：39

期号：2

页面范围：208

字数：4

是否译文：否

发表时间：2017-12-27

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宋爱民 (教授)