Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：李云鹏
全部作者：周莉,辛倩,宋爱民,王一鸣,林兆军
论文编号：336EFF6A821E4222AA5EAB0BA52D3891
卷号：39
期号：2
页面范围：208
字数：4
是否译文：否
发表时间：2017-12