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All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory

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所属单位：集成电路学院

发表刊物：IEEE Electron Device Letters

全部作者：宋爱民,王一鸣,王卿璞,周莉,辛倩

第一作者：杨进

论文编号：2532544AF4F5476799F6AF1C6F32887A

卷号：39

期号：12

页面范围：1876

字数：4000

是否译文：否

发表时间：2018-11-26

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宋爱民 (教授)