Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
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所属单位:微电子学院
发表刊物:Applied Physics Letters
全部作者:王一鸣,冯先进,宋爱民
第一作者:朱庚昌
论文类型:基础研究
论文编号:lw-178680
卷号:109
期号:无
页面范围:113503
字数:3
是否译文:否
发表时间:2016-09-12
发表时间:2016-09-12