Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
发布时间：2019-10-27 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：朱庚昌
全部作者：王一鸣,冯先进,宋爱民
论文编号：lw-178680
卷号：109
期号：11
页面范围：113503
字数：3
是否译文：否
发表时间：2016-09