Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector with Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
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所属单位:微电子学院
发表刊物:IEEE Electron Device Letters
全部作者:贾志泰,徐明升,辛倩,陶绪堂,宋爱民
第一作者:刘雅璇
论文类型:基础研究
论文编号:2018zxsei1144
卷号:32
期号:11
页面范围:1696
是否译文:否
发表时间:2018-09-24
发表时间:2018-09-24