Extremely high-gain source-gated transistors
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA
第一作者：张嘉炜
论文类型：基础研究
论文编号：5837A7A20E1B44CE944CC0C0DB87B0CB
卷号：116
期号：11
页面范围：4843
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2019-03-12
发表时间：2019-03-12