Comparative Study of Short-Channel Effects Between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：王震泽
论文编号：EE891ACF871F4DC799BF2F59A5BD422D
期号：69
字数：3000
是否译文：否
发表时间：2022-01-13
发表时间：2022-01-13