Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction
发布时间：2022-11-15 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：王珣珣
论文编号：94A89A91EBFE4CEA8315878F2988EA0A
卷号：43
期号：1
页面范围：44
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2022-01