Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：王珣珣
论文编号：94A89A91EBFE4CEA8315878F2988EA0A
卷号：43
期号：1
页面范围：44
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2022-01-01
发表时间：2022-01-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：王珣珣
论文编号：94A89A91EBFE4CEA8315878F2988EA0A
卷号：43
期号：1
页面范围：44
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2022-01-01
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