High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
发布时间：2022-11-17 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
发表刊物：the 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2015)
第一作者：严林龙
论文编号：lw-180407
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2015-09