High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Physica Status Solidi C
第一作者：严林龙
论文编号：lw-180407
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2015-09-13
发表时间：2015-09-13
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Physica Status Solidi C
第一作者：严林龙
论文编号：lw-180407
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2015-09-13
发表时间：2015-09-13