High Performance Complementary Circuits Based on p-SnO and n-IGZO Thin-Film Transistors
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Materials
第一作者：Zhang, Jiawei
论文编号：45E1DAF66BA8466CB35D3CCD9F691C2A
卷号：10
期号：3
字数：4
是否译文：否
发表时间：2017-03-21
发表时间：2017-03-21
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
High Performance Complementary Circuits Based on p-SnO and n-IGZO Thin-Film Transistors
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Materials
第一作者：Zhang, Jiawei
论文编号：45E1DAF66BA8466CB35D3CCD9F691C2A
卷号：10
期号：3
字数：4
是否译文：否
发表时间：2017-03-21
发表时间：2017-03-21