High Performance Complementary Circuits Based on p-SnO and n-IGZO Thin-Film Transistors
发布时间：2022-11-17 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：High Performance Complementary Circuits Based on p-SnO and n-IGZO Thin-Film Transistors
发表刊物：Materials
第一作者：Zhang, Jiawei
论文编号：45E1DAF66BA8466CB35D3CCD9F691C2A
卷号：10
期号：3
字数：4
是否译文：否
发表时间：2017-03