Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：辛倩
论文编号：lw-168548
卷号：106
期号：11
页面范围：113506
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2015-03-20
发表时间：2015-03-20
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：辛倩
论文编号：lw-168548
卷号：106
期号：11
页面范围：113506
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2015-03-20
发表时间：2015-03-20