Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
发布时间：2022-11-17 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：辛倩
论文编号：lw-168548
卷号：106
期号：11
页面范围：113506
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2015-03