High performance Schottky diodes based on indium-gallium-zinc-oxide
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：Journal of Vacuum Science & Technology A
第一作者：张嘉炜
论文编号：lw-180412
卷号：34
期号：4
字数：1000
是否译文：否
发表时间：2016-04-08
发表时间：2016-04-08
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
High performance Schottky diodes based on indium-gallium-zinc-oxide
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所属单位：集成电路学院
发表刊物：Journal of Vacuum Science & Technology A
第一作者：张嘉炜
论文编号：lw-180412
卷号：34
期号：4
字数：1000
是否译文：否
发表时间：2016-04-08
发表时间：2016-04-08