Effects of gate roughness on low voltage InGaZnO thin-film transistors with ultra-thin anodized AlxOy dielectrics
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Semiconductor Science and Technology
第一作者：林晓昱
论文编号：D140F3F28B5E40BDBCD2400A9D2DFD08
期号：38
页面范围：35023
字数：3500
是否译文：否
发表时间：2023-02-17
发表时间：2023-02-17