Amorphous Ga2O3 Schottky photodiodes with high-responsivity and photo-to-dark current ratio,
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：纪兴启
论文编号：C5F7BC4F612E4B1AA88C776E63A81C56
期号：Vol. 933
字数：8
是否译文：否
发表时间：2023-01-01
发表时间：2023-01-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Amorphous Ga2O3 Schottky photodiodes with high-responsivity and photo-to-dark current ratio,
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所属单位：微电子学院
发表刊物：JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：纪兴启
论文编号：C5F7BC4F612E4B1AA88C776E63A81C56
期号：Vol. 933
字数：8
是否译文：否
发表时间：2023-01-01
发表时间：2023-01-01