Amorphous Ga2O3 Schottky photodiodes with high-responsivity and photo-to-dark current ratio,
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所属单位：集成电路学院
发表刊物：JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：纪兴启
论文编号：C5F7BC4F612E4B1AA88C776E63A81C56
期号：Vol. 933
字数：8
是否译文：否
发表时间：2023-01-01
发表时间：2023-01-01