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Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions

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所属单位：集成电路学院

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

论文编号：A463292AAD9345A8873E96D117A76844

期号：4

页面范围：1377

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2018-03-05

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宋爱民 (教授)