一种氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
发布时间:2021-11-02 点击数:
专利名称:一种氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
所属单位:集成电路学院
专利类型:发明
申请号:201910508807.9
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2019-06-13
公开日期:2021-10-26
授权日期:2021-10-26
专利名称:一种氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
所属单位:集成电路学院
专利类型:发明
申请号:201910508807.9
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2019-06-13
公开日期:2021-10-26
授权日期:2021-10-26