一种基于双极性SnO的氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
点击次数:
所属单位:微电子学院
专利类型:发明
申请号:201910508807.9
发明人数:2
是否职务专利:否
公开日期:2021-10-26
授权日期:2021-10-26
公开日期:2021-10-26
授权日期:2021-10-26
一种基于双极性SnO的氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
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所属单位:微电子学院
专利类型:发明
申请号:201910508807.9
发明人数:2
是否职务专利:否
公开日期:2021-10-26
授权日期:2021-10-26
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授权日期:2021-10-26