一种基于双极性SnO的氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
点击次数：
所属单位：微电子学院
专利类型：发明
申请号：201910508807.9
发明人数：2
是否职务专利：否
公开日期：2021-10-26
授权日期：2021-10-26
公开日期：2021-10-26
授权日期：2021-10-26
博士生导师 硕士生导师
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
办公地点：软件园校区
一种基于双极性SnO的氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用
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所属单位：微电子学院
专利类型：发明
申请号：201910508807.9
发明人数：2
是否职务专利：否
公开日期：2021-10-26
授权日期：2021-10-26
公开日期：2021-10-26
授权日期：2021-10-26