Affilication of Author(s):晶体材料研究院
Type of Patent:发明
Application Number:202011372197.3
Number of Inventors:2
Service Invention or Not:no
Publication Date:2022-07-26
Authorization Date:2022-07-26
Xutang Tao
Professor
No content
Patents
提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法
Release time:2022-07-30|Hits:
- Pre One:
- 带隙可调的全无机钙钛矿单晶及其生长方法
- Next One:
- 一种用于核辐射探测成像的大面积金属卤化物钙钛矿单晶阵列的外延生长方法