博士生导师
硕士生导师
教师姓名：陶绪堂
教师英文名称：Xutang Tao
教师拼音名称：taoxutang
入职时间：2002-09-03
所在单位：晶体材料研究院
职务：所长
学历：博士研究生毕业
办公地点：功能晶体材料楼535
性别：男
学位：博士生
职称：教授
在职信息：在职
主要任职：重点实验室主任
毕业院校：日本东京农工大学
所属单位：微电子学院 论文名称：Enhancement-mode Ga2O3 FET with high mobility using p-type SnO heterojunction 发表刊物：IEEE Electron Device Letters 关键字：Alumina;Aluminum oxide;Field effect transistors;Gallium compounds;Heterojunctions;II-VI semiconductors;Nanosheets;Semiconducting indium compounds;Zinc oxide;Back channels;Filed-effect-transistor;Gallium oxide (ga2o3);High mobility;Mobility (μ);Mode operation;Nano sheet;P-n heterojunctions;p-Type SnO;Threshold voltage (VTH);Gallium oxide (Ga2O3);filed-effecttransistors (FETs);heterojunction;threshold voltage (V-TH);p-type SnO;mobility (mu) 第一作者：王珣珣 论文编号：1478204783637565441 卷号：43 期号：1 页面范围：44-47 字数：5 是否译文：否 发表时间：2022-01-01 发表时间：2022-01-01
