标题：
Microstructure Evolution and Electrical Behaviors for HighPerformance Cu2O/Zr-Doped β？Ga2O3 Heterojunction Diode
点击次数：
所属单位：
材料科学与工程学院
发表刊物：
ACS Applied Materials and Interfaces
第一作者：
姜江一鸣
论文编号：
D92F854ADE26435097C6E43051581FDB
期号：
16
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2024-07-20
发表时间：
2024-07-20
职称：教授
所在单位：材料科学与工程学院