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王守志
性别:男

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所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2019-07 所属院系: 晶体材料研究院

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From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors

发布时间:2020-03-20 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors

发表刊物:Journal of Materials Chemistry C

第一作者:俞瑞仙

全部作者:张保国,廉刚,王守志,吴拥中,邵永亮,郝霄鹏,张雷

论文编号:73E433DC413F481BA7C1BC2C13E1671D

卷号:7

期号:45

页面范围:14116

字数:4000

是否译文:

发表时间:2019-12

发布时间:2020-03-20

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