From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：材料化学期刊C
全部作者：张雷,郝霄鹏,邵永亮,吴拥中,王守志,廉刚,张保国
第一作者：俞瑞仙
论文类型：基础研究
论文编号：73E433DC413F481BA7C1BC2C13E1671D
卷号：7
期号：45
页面范围：14116
是否译文：否
发表时间：2019-12-07