发布时间:2020-03-20 点击次数:
所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
论文名称:From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors
发表刊物:Journal of Materials Chemistry C
第一作者:俞瑞仙
全部作者:张保国,廉刚,王守志,吴拥中,邵永亮,郝霄鹏,张雷
论文编号:73E433DC413F481BA7C1BC2C13E1671D
卷号:7
期号:45
页面范围:14116
字数:4000
是否译文:否
发表时间:2019-12
发布时间:2020-03-20