Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect
发布时间：2020-03-06 点击数：
所属单位：海洋研究院
论文名称：Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect
发表刊物：NANO ENERGY
关键字：ZnO 纳米柱阵列，压电，InSe晶体管压力传感器
第一作者：张宇
全部作者：王建军,王书华,韩琳,刘宏,桑元华,张宇
论文编号：38BDA9BD4A75448B9AD9E108A3B18866
页面范围：104457
字数：4
是否译文：否
发表时间：2020-01