标题：
High-Mobility IGZO TFTs by Infrared Radiation Activated Low-Temperature Solution Process
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所属单位：
材料科学与工程学院
论文名称：
High-Mobility IGZO TFTs by Infrared Radiation Activated Low-Temperature Solution Process
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
第一作者：
Xia, Guodong
全部作者：
王素梅
论文编号：
99474A2534584F379F019FED6E4DF510
卷号：
39
期号：
12
页面范围：
1868
是否译文：
否
发表时间：
2018-12
发布时间：
2019-10-24
职称：副教授
所在单位：材料科学与工程学院