标题：
Ti doping enhanced alumina dielectrics for low-voltage thin-film transistors via low-temperature lightwave irradiation
点击次数：
所属单位：
材料科学与工程学院
论文名称：
Ti doping enhanced alumina dielectrics for low-voltage thin-film transistors via low-temperature lightwave irradiation
发表刊物：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
第一作者：
王素梅
论文编号：
DBB6FF101076483281823C168F7CA292
卷号：
31
期号：
8
页面范围：
5866
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2020-04
发布时间：
2021-05-31
职称：副教授
所在单位：材料科学与工程学院