标题：
Low-temperature solution-processed InGaZnO thin film transistors by using lightwave-derived annealing
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所属单位：
材料科学与工程学院
论文名称：
Low-temperature solution-processed InGaZnO thin film transistors by using lightwave-derived annealing
发表刊物：
Thin Solid Films
第一作者：
张倩
论文编号：
D5C5B3E4DB9B4AAE8A488F7C40F1A245
卷号：
723
期号：
0
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2021-04
发布时间：
2021-09-19
职称：副教授
所在单位：材料科学与工程学院