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国家集成电路创新中心顾问 国家博新人才，上海市高层次人才，泰山学者青年专家，山东省优青，齐鲁青年学者
电子邮箱： tywang@sdu.edu.cn
王天宇，山东大学集成电路学院研究员（齐鲁青年学者），国家集成电路创新中心顾问专家，集成电路全国重点实验室顾问专家，国家博新计划人才，上海市高层次人才，山东省泰山学者青年专家，山东省优青，山东省高层次人才。硕博毕业于复旦大学微电子学院（国家重点实验室），随后在复旦大学集成电路科学与工程流动站从事博士后研究。主持/参与国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金、教育部新一代集成电路技术集成攻关项目、教育部重点实验室基金、山东省自然科学基金等10余项项目。在存算一体器件的低功耗性能指标已达到国际领先水平（aJ级），研究成果入选Chip中国2022年度芯片科学十大进展（Chip 10 Science）。主要研究方向为面向人工智能应用的低功耗存储器芯片、基于存储器的数字逻辑计算、神经网络算法与集成系统、柔性可穿戴电子等。
目前发表SCI论文80余篇，申请/授权发明专利83项，其中第一/通讯作者论文42篇，包括Nature Communications, Nano Letters（4篇，封面论文）, Advanced Science（ESI高被引）, Angew. Chem. Int. Ed., Nano Energy, Materials Horizons（4篇）, Applied Physics Reviews, Nano Research, Advanced Electronic Materials（2篇）, IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等领域内权威期刊。受邀担任Nature Communications、Science Advances、Advanced Materials、ACS Nano、Nano Letters、Advanced Functional Materials、Applied Physics Lettters、IEEE Electron Device Letters等30余个国际期刊审稿人，任综合性国际学术期刊The Innovation期刊青年编委（IF:32.1）、国际学术期刊eScience期刊青年编委（IF:42.9）、芯片类综合性国际期刊Chip期刊青年编委、国际学术期刊Exploration期刊青年编委、Wiley出版社Brain-X期刊青年编委、国际学术期刊Soft Science期刊青年编委、国际信息与功能材料Information & Functional Materials期刊青年编委，中国人工智能学会青年工作委员会成员、山东电子学会青年科学家工作委员会成员等。任国家自然科学基金评审专家、中国博士后基金评审专家等。获世界人工智能大会青年优秀论文提名奖（全球10人）、Wiley中国开放科学高贡献作者奖、纳米光电材料与半导体器件科学家探索奖。
课题组常年招聘相关方向青年教师与博士后，待遇优厚，有意者请将简历发送至邮箱tywang@sdu.edu.cn 同时欢迎相关专业的本科生同学加入！
国家集成电路创新中心 ，顾问专家
山东大学集成电路学院 ，研究员（齐鲁青年学者）
复旦大学 ，集成电路科学与工程流动站/新一代集成电路技术集成攻关大平台/集成芯片与系统全国重点实验室 ，博士后 （国家博新人才） 合作导师：张卫教授
复旦大学 ，微电子学院（国家重点实验室），微电子学与固体电子学 ，博士
| 类别 | 专业 | 简介 | 人数 | 年份 |
|---|---|---|---|---|
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博士生招生 |
集成电路科学与工程、集成电路工程 |
2 |
2025 |
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硕士生招生 |
集成电路科学与工程、集成电路工程 |
3 |
2025 |
| 名称 | 简介 |
|---|---|
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柔性类脑芯片忆阻器/晶体管（面向人工智能应用的可穿戴电子） |
柔性忆阻器/RRAM存储器作为新兴的非易失性存储芯片，在器件尺寸、操作速度、功耗、耐久性等方面表现出优异的特性。利用具有可变电导的柔性忆阻器作为存储芯片，结合神经网络算法构建人工神经网络（ANN），从而实现基于类脑芯片的可穿戴人工智能应用与机器学习等集成电路系统，入选Chip中国芯片科学十大进展（Chip10 Science）。 |
|
低功耗存算一体器件（面向逻辑计算与神经网络计算） |
存算一体（In-memory Computing）架构作为一种新型计算范式，可颠覆性地在内存中实现原位计算，避免数据在存储单元与处理单元间的频繁传送，解决功耗过大等问题。开发新型的低功耗存算一体型器件（目前已实现世界纪录的aJ级超低功耗），为后摩尔时代集成电路的发展提供核心微电子器件，获教育部自然科学二等奖。 |
|
铪基铁电存储器（面向后摩尔先进纳米节点器件与三维集成技术） |
新型铁电存储器件产业化发展面临的重要瓶颈是材料及制备工艺与集成电路CMOS工艺不兼容，限制了存储器领域的发展和应用。HfO2薄膜目前广泛应用于 CMOS 晶体管中栅介质材料，厚度可微缩至10 nm以下。面向后摩尔先进纳米节点器件需求，研究纳米存储器的尺寸微缩、可靠性与三维集成技术，在国内集成电路龙头企业流片并开展产业化合作。 |
| 获奖时间 | 奖项名称 |
|---|---|
|
2023 |
教育部自然科学二等奖 |
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2022 |
Chip中国芯片科学十大进展（Chip10 Science） |
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2021 |
国家博新人才 |
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2023 |
上海市高层次人才 |
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2021 |
上海市超级博士后 |
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2019 |
Nature最佳会议论文奖 |
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2021 |
世界人工智能大会青年优秀论文提名奖（全球10人） |
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2023 |
纳米光电材料与半导体器件科学家探索奖 |
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2024 |
山东省高层次人才 |
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2024 |
山东省优青 |
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2024 |
山东省青年科技人才托举工程 |
1. 国家自然科学基金项目 主持
2. 国家博新人才支持计划 主持
3. 教育部集成电路技术集成攻关项目 主持
4. 国际青年人才基金 主持
5. 省自然科学基金青年项目 主持
6. 上海市科技创新行动计划 主持
7. 中国博士后科学基金面上项目(一等) 主持
8. 上海市超级博士后计划 主持
9. 教育部重点实验室开放课题 主持
10. 复旦大学超级博士后计划 主持
11. 复旦大学卓博计划 主持
12. 山东大学齐鲁青年学者项目 主持
13. 国家集成电路重点实验室基金 主持
14. 山东省优青项目 主持
15. 山东省青年科技人才项目 主持
1. Reconfigurable neuromorphic memristor network for ultralow-power smart textile electronics. Nature Communications, 2022, 13(1): 7432. 第一作者 IF: 17.7
2. The Doping Effect on the Intrinsic Ferroelectricity in Hafnium Oxide-Based Nano-Ferroelectric Devices. Nano Letters, 2023, 23(10): 4675-4682. 通讯作者 IF: 12.3
3. Ultralow Power Wearable Organic Ferroelectric Device for Optoelectronic Neuromorphic Computing. Nano Letters, 2022, 22(15), 6435- 6443. 通讯作者 IF: 12.3
4. Ultralow Power Wearable Heterosynapse with Photoelectric Synergistic Modulation. 2020, 7, 1903480. Advanced Science. (封面文章) 第一作者 IF:17.5
5. Three-Dimensional Nanoscale Flexible Memristor Networks with Ultralow Power for Information Transmission and Processing Application. Nano Letters. 2020, 20(6), 4111- 4120. (封面文章) 第一作者 IF: 12.3
6. Robust DNA‐Bridged Memristor for Textile Chips. Angew. Chem. Int. Ed. 2020, 59, 1- 8. （编辑高亮论文）共一作者 IF:16.8
7. Reconfigurable optoelectronic memristor for in-sensor computing applications. Nano Energy, 2021, 89: 106291. 第一作者 IF:19.1
8. Low-power and high-speed HfLaO-based FE-TFTs for artificial synapse and reconfigurable logic applications. Materials Horizons, 2024, 11(2): 490-498. 通讯作者 IF: 15.7
9. Flexible aluminum-doped hafnium oxide ferroelectric synapse devices for neuromorphic computing. Materials Horizons, 2023, 10(9): 3643-3650. 通讯作者 IF: 15.7
10. Flexible 3D Memristor Array for Binary Storage and Multi-states Neuromorphic Computing Applications. InfoMat. 2021, 3(2): 212-221. 共一作者 IF:25.4
11. CMOS back-end compatible memristors for in situ digital and neuromorphic computing applications. Materials Horizons, 2021, 8(12): 3345-3355. 通讯作者 IF: 15.7
12. Fully transparent, flexible and waterproof synapses with pattern recognition in organic environments. Nanoscale Horizons，2019, 4(6), 1293-1301. （封面论文）第一作者 IF:11.7
13. Analog ferroelectric domain-wall memories and synaptic devices integrated with Si substrates. Nano Research, 2021: 1-8. 共一作者 IF:10.3
14. Forming-free Flexible Memristor with Multilevel Storage for Neuromorphic Computing by Full PVD Technique. Journal of Materials Science & Technology. 2020,60,21-26. 共一作者 IF:10.3
15. Flexible electronic synapses for face recognition application with multimodulated conductance states. ACS Applied Materials & Interfaces. 2018, 10(43): 37345-37352. 第一作者 IF:10.4
16. Enhanced Ferroelectricity in Hf‐Based Ferroelectric Device with ZrO2 Regulating Layer. Advanced Electronic Materials, 2023, 9(8): 2300208. 通讯作者
17. Ferroelectric Hafnium Oxide Films for In-Memory Computing Applications.Advanced Electronic Materials, 2022: 2200951. 通讯作者
18. Room-Temperature Developed Flexible Biomemristor with Ultralow Switching Voltage for Array Learning. Nanoscale. 2020,12(16),9116-9123. 共一作者
19. Improved Ferroelectricity and Tunneling Electroresistance by Inducing the ZrO 2 Intercalation Layer in La:HfO 2 Thin Films. ACS Applied Electronic Materials. 2024 通讯作者
20. Atomic Layer Deposited Hf0.5Zr0.5O2-based Flexible Memristor with Short/Long-Term Synaptic Plasticity. Nanoscale research letters. 2019,14(1),102. 第一作者
21. Effect of doping concentration on intrinsic ferroelectric properties of HfLaO-based ferroelectric memory. IEEE Electron Device Letters, 2024. Accepted 通讯作者
22. CMOS compatible low power consumption ferroelectric synapse for neuromorphic computing. IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(3): 532-535. 通讯作者
23. Stabilizing the ferroelectric phase in HfAlO ferroelectric tunnel junction with different bottom electrodes. IEEE Electron Device Letters, 2023,44(6):947-950. 通讯作者
24. Improved Ferroelectricity and tunnelling electro resistance in Zr-Rich HfxZr1-xO2 ferroelectric tunnel junction. IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(2):245-248. 通讯作者
25. Ferroelectric and Antiferroelectric Phenomenon in Lanthanum doped Hafnium based Thin Films. IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(9):1472-1475.通讯作者
26. Hafnium-Based Ferroelectric Memory Device With Integrated Selective Function Using Crested Band Structure. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023,70(10):5113-5118. 通讯作者
27. Physical Mechanisms Behind the Annealing Temperature Effect on Ferroelectric Phase in HfAlO FTJs by First-Principles Calculations. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(10):5107-5112. 通讯作者
28. Understanding the Effect of Oxygen Content on Ferroelectric Properties of Al-Doped HfO Thin Films. IEEE Electron Device Letters, 2022, 44(1): 56-59. 通讯作者
29. Organic Optoelectronic Synaptic Devices for Energy-Efficient Neuromorphic Computing. IEEE Electron Device Letters. 2022, 43(7)，1089-1092. 通讯作者
30. Artificial Vision Adaptation Based on Optoelectronic Neuromorphic Transistors. IEEE Electron Device Letters. 2022, 43(11), 1917-1920. 通讯作者
31. La-Doped HZO (La:HZO) Ferroelectric Devices Toward High-Temperature Application. IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(9), 5375-5379. 通讯作者
32. Novel Two-Terminal Synapse/Neuron Based on Antiferroelectric Hafnium Zirconium Oxide Device for Neuromorphic Computing. Nano Letters, 2024, 24(36): 11170-11178. 通讯作者 IF: 12.3
33. Fluorite-structured antiferroelectric hafnium-zirconium oxide for emerging nonvolatile memory and neuromorphic-computing applications. Applied Physics Reviews, 2024, 11(2). 通讯作者 IF: 19.5
1. 一种高耐久存算一体器件及其制备方法 CN202311748781.8
2. 一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法 CN202311748792.6
3. 一种感存算器件及制备方法 CN202211242145.3
4. 一种基于柔性衬底的感存算器件及制备方法 CN202211242840.X
5. 一种改善铪基铁电器件耐受性的方法 CN202211112661.4
6. 一种通过插层技术优化铁电MOS电容性能的方法 CN202211112658.2
7. 一种柔性NAND闪存存储器及其制备方法 CN202210930734.4
8. 一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法 CN202210930716.6
9. 一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件及其制备方法 CN202210930943.9
10. 一种三栅型六位存储器件及其制备方法 CN202210930733.X
11. 一种阈值电压可调的超薄氧化铟锡薄膜晶体管的制备方法 CN202210917408.X
12. 基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法 CN202210918681.4
13. 一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法 CN202210918679.7
14. 一种改善铪基铁电器件性能的方法 CN202210920069.0
15. 一种三维集成多功能忆阻器及其制备方法 CN202210903267.6
16. 一种低功耗织物型神经形态器件及其制备方法 CN202210896104.X
17. 一种嗅觉感存算一体化忆阻器及其制备方法 CN202210896285.6
18. 一种多端仿树突型神经形态器件及其制备方法 CN202210896084.6
19. 一种新型可穿戴存储器及其制备方法 CN202210896282.2
20. 一种具有局域调控特性的铁电多值存储器及其制备方法 CN202210608891.3
