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High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs

发布时间:2019-06-06
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者:
王一鸣,辛倩,李玉香,宋爱民
第一作者:
马鹏飞
论文类型:
基础研究
论文编号:
30A3D463D46B446FAF932289DEB289FE
卷号:
66
期号:
6
页面范围:
2600
是否译文:
发表时间:
2019-06-01