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SnOX-Based mu W-Power Dual-Gate Ion-Sensitive Thin-Film Transistors With Linear Dependence of pH Values on Drain Current

发布时间:2021-06-02
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
第一作者:
袁玉卓
论文编号:
08C178EC712F46CEB7E6A145336036B2
卷号:
42
期号:
1
页面范围:
54
字数:
3500
是否译文:
发表时间:
2021-01-01