Comparative Study of Short-Channel Effects Between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors
发布时间：2022-05-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Comparative Study of Short-Channel Effects Between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 第一作者：
- 王震泽
- 论文编号：
- EE891ACF871F4DC799BF2F59A5BD422D
- 卷号：
- 69
- 期号：
- 2
- 页面范围：
- 561
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-01
- 发布时间：
- 2022-05-24