Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions
发布时间：2023-11-02
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 论文编号：
- A463292AAD9345A8873E96D117A76844
- 期号：
- 4
- 页面范围：
- 1377
- 字数：
- 5000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-03-05