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Solid-State Optoelectronic Synapse Transistor Using a LaF3 Gate Dielectric

发布时间:2022-12-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
第一作者:
石鹏
论文编号:
C8FB575592E44556ABC1B2E681D0D14B
期号:
16
字数:
5
是否译文:
发表时间:
2022-08-18