采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
发布时间:2019-04-14
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- 所属单位:
- 物理学院
- 论文名称:
- 采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
- 发表刊物:
- 《功能材料》
- 第一作者:
- 肖洪地
- 全部作者:
- 马瑾,林兆军,宗福建,张锡健,栾彩娜
- 论文类型:
- 基础研究
- 论文编号:
- lw-73891
- 卷号:
- v 37
- 期号:
- n SUPPL.
- 页面范围:
- 1
- 是否译文:
- 否
- 发表时间:
- 2006-10
- 发布时间:
- 2019-04-14

