Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers
发布时间：2019-04-14
点击次数：
- 所属单位：
- 微电子学院
- 论文名称：
- Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers
- 发表刊物：
- NANOSCALE
- 第一作者：
- 曹得重
- 全部作者：
- 肖洪地,栾彩娜,毛宏志,刘建强,刘向东
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- D724A0DD21A549D288EB38A47DA64552
- 卷号：
- 9
- 期号：
- 32
- 页面范围：
- 11504
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-08
- 发布时间：
- 2019-04-14